火花直读光谱 OES
钢研纳克与聚光盈安直读光谱资料面向金属材料成分检测。配置核对宜从现行工艺出发：抽样方式是否代表整炉或整批、试样是否适合稳定激发、关键元素能否在实际区间被校准。采购比较应把制样、标准样、气源、耗材和验收样品一起列入，形成可复核的检测流程。
采购前需要说明
合金基体、目标元素与范围、块体试样和制样条件
结果解释与适用边界
- 不同型号的覆盖元素、分析程序与自动化附件需逐项核实。
- 不会把品牌拥有的其他分析技术算入本页已收录型号的能力。
分析方法对照
手持 XRF
手持 XRF 适合把元素筛查带到来料、仓库和设备现场，常用于合金分选与材质复核。它测到的是测试区域在相应条件下的元素信号，表面镀层、腐蚀、污染和不均匀性都可能影响对本体材料的判断。选型要明确目标元素、基体及现场判定规则，并保留关键样的实验室复验路径。
采购前需要说明
材料表面状态、目标元素、筛查判定规则与复验安排
结果解释与适用边界
- 筛查阴性不等于所有受关注元素都不存在。
- 不以手持 XRF 替代电池材料的锂含量或半导体超痕量纯度检测。
碳硫与氧氮氢 CS / ONH
碳硫、氧氮氢与扩散氢分析应按被测元素和提取方式分别配置。燃烧法常用于适配无机材料的碳硫测定，惰性气体熔融用于氧氮氢释放与检测，扩散氢测试则针对规定条件下可逸出的氢。试样表面、称样、坩埚及空白控制都会影响结果，尤其需要与基体匹配的校准和验证。
采购前需要说明
被测元素、基体、目标范围、称样和校准条件
结果解释与适用边界
- 不将全部氧氮氢功能默认赋给任何同系列配置。
- 总量分析不能提供杂质在颗粒、界面或深度方向的分布。
X 射线衍射 XRD
X 射线衍射通过衍射峰的位置、强度与形状研究晶相和结构，适合判断粉体合成后是否得到目标相、批次间是否出现杂相。选型应先区分常规粉末物相、定量分析与薄膜结构任务，再核对制样、光学系统和分析软件；一张衍射图不能直接给出全部元素含量或电化学性能。
采购前需要说明
粉末、块体或薄膜任务，制样、光学与软件需求
结果解释与适用边界
- 非晶组分与少量相的判断需匹配模型、对照和方法验证。
- 电极晶相正确不代表容量、循环寿命或离子电导率已经合格。
微区 XRF
微区 XRF 通过聚焦 X 射线激发与能谱检测，研究局部区域的元素组成、线扫和二维元素分布。它尤其适合不均匀、微小、不规则或不宜破坏的样品。选型应先明确元素、特征尺寸、扫描面积、样品环境和是否需要定量；元素图显示的是在既定条件下的空间信号，不能单独等同于全样平均含量或材料机理。
采购前需要说明
目标元素、特征尺寸、扫描区域、样品环境和定量要求
结果解释与适用边界
- 常规 M4 与 M4 TORNADO PLUS 的轻元素、样品环境和附件能力需要按实际配置区分。
- 对湿样、文物、植物组织和空气敏感材料，应先确认无损性、样品状态与测量条件。
XRF 镀层测厚
XRF 镀层测厚依据镀层与基材的特征荧光信号，结合层结构模型或校准样，分析适配镀层的厚度及组成。电子连接器、引线框架和表面处理件常同时面临小测点、多层结构与定位重复性问题，因此应先描述完整的“基材—各层材料—厚度区间”，再选择光斑、样品台和方法。
采购前需要说明
基材、完整层序、厚度区间、测点尺寸及工件形状
结果解释与适用边界
- 厚度合格不能替代附着力、孔隙率或耐腐蚀评价。
- 光斑、测试距离和材料组合需要随具体配置验证。
扫描电子显微镜 SEM
扫描电子显微镜通过电子束与样品相互作用产生的信号观察表面形貌及成分衬度，适合颗粒、断口、截面与表面异常的定位。样品导电性、真空适应性和制样痕迹会影响图像解释；如需元素分析还应确认 EDS 配置。普通形貌观察能力不能直接等同于先进芯片的专用缺陷计量。
采购前需要说明
观察对象、导电性、真空适应性、制样与 EDS 需求
结果解释与适用边界
- 低真空可缓解部分充电问题，但不意味着所有样品无需制备。
- 局部图像不能未经抽样设计就代表整批材料。
热分析 DSC / TG / STA 等
热分析应按需要观察的信号选方法：DSC 关注热效应，TG 关注质量变化，STA 在同一试样上组合热信号；TMA 与 DMA 分别研究尺寸和动态力学响应，LFA 研究热扩散。温度程序、气氛和样品状态都需明确，同一材料在不同实验条件下的转变或分解结果不应直接混用。
采购前需要说明
目标信号、温度程序、气氛、样品与附件
结果解释与适用边界
- TG 失重本身不能鉴定释放气体种类，需联用或补充分析。
- 型号在目录中不表示所有温控、气氛、密封或联用附件均已配置。
颗粒表征与粒度方法
颗粒与孔结构表征包含多种不可互换的测量：DLS 研究适配分散体系的流体力学粒径，气体置换研究骨架密度，压汞等方法研究可进入的孔结构。选择前先写清楚“粒径、密度还是孔径”，并说明颗粒分散、样品干燥和结构稳定性，避免把不同方法的尺寸或密度直接放在同一尺度比较。
采购前需要说明
所需粒径定义、样品分散、取样和结果用途
结果解释与适用边界
- 高固含、沉降或强多分散样品不能默认直接适用 DLS。
- 本目录没有把 BET 气体吸附仪或激光衍射粒度仪列作已有型号。
荧光光谱与时间分辨测量
荧光与光致发光测量用于研究材料的激发、发射和衰减行为。稳态光谱提供波段和强度信息，时间分辨测试进一步观察发光随时间变化；量子产率又需要相应测量布置。选型应明确样品形态、发射波段、寿命时间尺度和是否变温，同时控制浓度、散射及内滤效应等解释干扰。
采购前需要说明
所需指标、样品形态、激发与探测条件及附件
结果解释与适用边界
- 发光峰或寿命变化不能单独唯一确定半导体缺陷种类。
- 高浓度体系应检查内滤、自吸收与散射，不能只比较原始峰高。
方法、型号与验收，逐步核对
先写清结果用途，再比较方法；进入具体型号页时，分别核对基体、范围、附件和软件。试测与验收保留样品、配置和方法条件，避免混用不同条件下的参数。
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